Кафедра микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ

Из статьи заведующего кафедрой микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ  д.т.н., профессора В.С. Першенкова в журнале «Датчики и системы» (№1, 2015):

        Первая в СССР кафедра микроэлектроники была создана пятьдесят лет назад в Московском инженерно-физическом институте (сегодня НИЯУ МИФИ) в то время, когда в США и СССР начали осваивать серийный выпуск первых интегральных микросхем (ИМС). Со дня основания до 1982 г. возглавлял кафедру профессор И. П. Степаненко, затем — профессор А. В. Шальнов и с 1997 г. — профессор В. С. Першенков. В становлении и развитии научно-учебного процесса принимали участия специалисты электронной промышленности Б. В. Малин (один из разработчиков первой отечественной ИМС), А. Г. Алексенко (ведущий специалист космического приборостроения), К. А. Валиев и А. А. Орликовский (ныне академики). На кафедре была создана технологическая лаборатория, оснащенная оборудованием, обеспечивающим основные процессы изготовления гибридных и полупроводниковых ИМС.

        Кафедра не могла и не должна была заниматься непосредственно производством ИМС, т. е. решать задачи быстроразвивающейся электронной промышленности. Главной задачей была подготовка квалифицированных специалистов-микроэлектронщиков для отраслевых НИИ и промышленных предприятий оборонного комплекса. Многие научные направления кафедры носили поисковый характер (варакторная и тиристорная микроэлектроника, освоение МЭМС-технологий, диоды Ганна, фотоприемные матрицы, биомедицинские интегральные датчики, приборы и микросистемы).

        В те годы МИФИ располагал собственной научно-исследовательской базой (ядерными установками, ускорителями заряженных частиц и другими источниками ионизирующих излучений) для экспериментального исследования действия радиации на элементы и компоненты электронной аппаратуры. Благодаря таким возможностям проведение исследований влияния различных видов радиации на ИМС стало одним из основных научных направлений кафедры с 1966 г. и по сегодняшний день.

        С начала 1970-х годов на кафедре микроэлектроники МИФИ стали разрабатываться первые в СССР кремниевые интегральные датчики давления и ускорения на основе МЭМС-технологий, что стало началом нового для кафедры научного направления — датчики на основе микротехнологий. Сотрудниками кафедры были разработаны фото-приемные матрицы, интегральные датчики индукции магнитного поля, концентрации ионов в растворах электролитов, концентраций водородсодержащих газов, мультимикроэлектроды и активные биоэлектроды, фотоплетизмографические датчики.

        Другими важными научными направлениями кафедры с 1970-х годов стали разработки и применения ИМС памяти, АЦП, микропроцессоров, микроконтроллеров, цифровых процессоров обработки сигналов в специализированных электронных системах ядерного, космического и медицинского приборостроения.

        В последние годы помимо перечисленных научных направлений важными являются разработки портативных приборов и систем для оценки радиактивности среды, малых концентраций взрывчатых и наркотических веществ, а также токсичных и взрывоопасных газов, измерения дозы электромагнитного излучения, поглощенной человеком. Большой вклад в развитие новых научных направлений внесли Л. Н. Патрикеев, И. И. Шагурин, В. С. Першенков, В. Д. Попов, О. Р. Мочалкина, В. И. Ваганов, В. И. Старосельский, А. С. Березин, Е. М. Онищенко, В. А. Лапшинский, Б. И. Подлепецкий, Ю. А. Воронов, А. Б. Симаков, Ю. И. Бочаров, В. В. Беляков, Г. И. Зебрев.

        Сотрудники кафедры регулярно принимают активное участие в международных конференциях таких, как Eurosensors, IMCS (International Meeting оn Chemical Sensors), NSREC (Nucleaг and Sрасе Radiation Еffесts Соnfегеnсе), RADECS (Radiation and its Effects оп Соmponents and Systems). Кафедра подготовила более 1500 специалистов на дневном и вечернем факультетах, факультетах переподготовки специалистов и повышения квалификации НИЯУ МИФИ, большинство из которых работают в ведущих академических и отраслевых НИИ и предприятиях.

Новости
Кафедра микро- и наноэлектроники предлагает новый прибор для обнаружения альфа-радиации ...
 20.01.2016 20:12
Международная студенческая олимпиада «Ядерная физика и ядерные технологии» ...
 06.12.2015 20:55
Зимняя сессия 2015/16 учебного года ...
 06.12.2015 13:18
Все новости
О сайте © 2015 Кафедра микро- и наноэлектроники Национального Исследовательского Ядерного Университета «МИФИ»
115409, г. Москва, Каширское шоссе, 31. Единая справочная НИЯУ МИФИ 8-495-788-56-99  
}